Для американского производителя памяти Micron Technology переход к памяти с вертикальными транзисторами не является столь же явной альтернативой, как для китайской CXMT. Первая из компаний видит больше перспектив в 3D DRAM, а 4F2 считает тупиковым вариантом развития, который себя не оправдает..

Для американского производителя памяти Micron Technology переход к памяти с вертикальными транзисторами не является столь же явной альтернативой, как для китайской CXMT. Первая из компаний видит больше перспектив в 3D DRAM, а 4F2 считает тупиковым вариантом развития, который себя не оправдает.

Хотя китайская компания CXMT с предсказуемой гордостью говорит о намерениях вывести на рынок модули DDR5 типа RDIMM на основе микросхем с компоновкой транзисторов 4F2, сторонние эксперты смотрят на ситуацию более трезво. Они отмечают, что для китайского производителя данный шаг является во многом вынужденным, поскольку CXMT лишена доступа к импортному оборудованию, позволяющему наладить выпуск памяти с более плотным размещением транзисторов иными способами.

Президент и технический директор американской Micron Technology Скотт де Бур (Scott DeBoer) в интервью Nikkei вчера подтвердил, что компания не торопится переходить на компоновку ячеек памяти 4F2. По его словам, Micron изучала эту возможность на протяжении более 20 лет, но до сих пор не включает такую технологию в свои производственные планы. Вместо этого Micron собирается развивать классическую компоновку 6F2 и делать ставку на технологию 3D DRAM следующего поколения.

Напомним, F в данном случае обозначает линейный размер и соответственно F2 определяет занимаемую ячейкой памяти площади на полупроводниковом кристалле. Классическая ячейка 6F2, таким образом, занимает больше места по сравнению с 4F2, которую торопится внедрить в условиях санкций китайская CXMT. Американская Micron работает в более комфортных условиях, а потому может долго не задумываться о такой миграции.

Более того, технический директор Micron назвал подобное сравнение двух компоновок манипуляциями с «зеркалами и дымом», поскольку переход на 4F2, по его словам, вовсе не гарантирует увеличения ёмкости памяти. «Существует некое заблуждение, будто технология 4F2 действительно даёт какие-то преимущества по сравнению с 6F2. На самом деле именно шаг между конденсаторами определяет характеристики DRAM», — пояснил де Бур. По его словам, существенных преимуществ 4F2 не добавляет, а в производстве соответствующая память дороже и сложнее. Именно шаг размещения конденсаторов определяет плотность упаковки ячеек памяти и ёмкость чипа, в конечном итоге.

Каждый конденсатор при этом должен хранить достаточный заряд, чтобы позволять надёжно считывать данные, поэтому шаг их размещения сократить довольно сложно по сравнению с обычным уменьшением размеров транзисторов. Если смотреть на дальнейшие перспективы масштабирования памяти с компоновкой 4F2 с точки зрения современной науки, как отмечает представитель Micron, то начинают вмешиваться законы физики. Именно они будут задавать те пределы, которые в конечном итоге заставят дизайн чипов памяти перейти к 3D DRAM вместо 4F2, по мнению де Бура. Конденсаторы в составе 3D DRAM имеют совершенно другую ориентацию, поскольку эта память «полностью вертикальна», как добавил он. Иначе масштабируются и сами возможности разработки 3D DRAM, а также вся сопутствующая оптимизация.

По словам технического директора Micron, для этой компании «этап, на котором требуется EUV, совпадает с моментом выбора между изготовлением по технологии 4F2 и 6F2». Оборудование для производства чипов с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), поставляемое нидерландской ASML, доступно Micron без экспортных ограничений, в отличие от китайских производителей памяти.